半導體材料與器件量測和檢測技術培訓班：聚焦檢測技術前沿與應用突破
在半導體產業蓬勃發展的當下，檢測技術作為保障半導體材料與器件質量的關鍵環節，正不斷向高精度、高靈敏度方向邁進。2025年10月27日，第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”培訓班在中國科學院上海硅酸鹽研究所順利舉辦。本次培訓班由中國科學院上海硅酸鹽研究所汪正研究員團隊帶領組織，吸引了近百位行業專家、學者齊聚上海，圍繞半導體檢測領域的前沿技術與應用實踐展開了深入且精彩的分享與交流。分析測試百科網對本次培訓班進行持續報道。報告主持：郭偉（左）、汪正（右）第二天的培訓報告由中國地質大學（武漢）郭偉教授和中國科學院上海硅酸鹽研究所汪正研究員進行主持。清華大學 邢志教授清華大學邢志教授分享題為“高純稀土化合物的輝光放電質譜定量分析研究”的精彩報告。邢志教授詳細介紹了高純材料的分析技術，指出輝光放電質譜是高純材料中痕量及超痕量雜質分析的理想手段，具有靈敏度高、線性范圍寬等優點。他還探討了稀土化合物在輝光放電質譜分析中的問題，如稀土原子和稀......閱讀全文
第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”培訓班圓滿收官
2025年10月27日至31日，由中國科學院人事局資助、中國科學院上海硅酸鹽研究所主辦，上海材料與制造大型儀器區域中心和上海無機非金屬材料分析測試專業平臺協辦的第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”培訓班在上海成功舉辦。本屆培訓班特邀華東理工大學朱為宏院士，中國科學院半導體研究所所長譚平恒研究員等
半導體材料與器件量測和檢測技術培訓班：聚焦檢測技術前沿與應用突破
在半導體產業蓬勃發展的當下，檢測技術作為保障半導體材料與器件質量的關鍵環節，正不斷向高精度、高靈敏度方向邁進。2025年10月27日，第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”培訓班在中國科學院上海硅酸鹽研究所順利舉辦。本次培訓班由中國科學院上海硅酸鹽研究所汪正研究員團隊帶領組織，吸引了近百位行業專家
持續報道－|－第二屆“半導體材料與器件量測與檢測技術”培訓班精彩延續
在當今半導體行業，生產工藝日益復雜，設備精密度要求也越來越高，制造難度及品質管控難度呈指數級增長。為應對這些挑戰，培養專業人才，由中國科學院人事局資助、中國科學院上海硅酸鹽研究所主辦的第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”培訓班于2025年10月27至31日在上海舉辦。該培訓班采用專題講座、技術培
關于舉辦第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”－培訓班的預通知
各有關單位：半導體行業是一個技術密集型的行業，其生產工藝復雜，設備精密度要求高，整體流程涉及到成百上千道工序。隨著半導體制造工藝越來越高，其制造難度及品質管控也在呈指數級增長。因此，對材料純度、制造精度等都提出極高要求，而這也給材料、器件的分析檢測技術帶來了巨大的挑戰。鑒于第一屆培訓班獲得的良好反饋
第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”培訓班開班：強化技能，驅動產業升級
半導體行業生產工藝復雜，設備精密度要求高，整體流程涉及眾多工序。隨著工藝不斷提升，制造難度及品質管控難度呈指數級增長，對材料純度、制造精度等要求極高，材料、器件的分析檢測技術面臨巨大挑戰。為應對這些挑戰，培養半導體分析檢測技術專業人才，由中國科學院人事局資助、中國科學院上海硅酸鹽研究所主辦，上海材料
關于舉辦第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”－－培訓班的通知（第一輪）
各有關單位：半導體行業是一個技術密集型的行業，其生產工藝復雜，設備精密度要求高，整體流程涉及到成百上千道工序。隨著半導體制造工藝越來越高，其制造難度及品質管控也在呈指數級增長。因此，對材料純度、制造精度等都提出極高要求，而這也給材料、器件的分析檢測技術帶來了巨大的挑戰。鑒于第一屆培訓班獲得的良好反饋
關于舉辦第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”－－培訓班的第二輪通知
各有關單位：半導體行業是一個技術密集型的行業，其生產工藝復雜，設備精密度要求高，整體流程涉及到成百上千道工序。隨著半導體制造工藝越來越高，其制造灘度及品質管控也在呈指數級增長。因此，對材料純度、制造精度等都提出極高要求，而這也給材料、器件的分析檢測技術帶來了巨大的挑戰。鑒于第一屆培訓班獲得的良好反饋
關于舉辦第二屆“半導體材料與器件量測和檢測技術”－培訓班的第一輪通知
半導體行業是一個技術密集型的行業，其生產工藝復雜，設備精密度要求高，整體流程涉及到成百上千道工序。隨著半導體制造工藝越來越高，其制造難度及品質管控也在呈指數級增長。因此，對材料純度、制造精度等都提出極高要求，而這也給材料、器件的分析檢測技術帶來了巨大的挑戰。 鑒于第一屆培訓班獲得的良好反饋，且
關于舉辦“半導體材料與器件分析檢測技術”－培訓班的通知
各有關單位：為進一步加強半導體分析檢測技術高技能人才隊伍建設，使科技人員適應科學技術的發展，掌握該技術領域的新技能，新方法，開拓視野，提高科學實驗技能和實驗儀器的使用效能, “半導體材料與器件分析檢測技術”培訓班將于近期在上海舉辦。本次培訓由中國科學院人事局資助、中國科學院上海硅酸鹽研究所主辦、上海
半導體器件的開關特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進一步分為增強型和耗盡型兩類。 1、靜態特性 MOS管作為開
半導體器件有哪些分類
現在被稱作半導體器件的種類如下所示。按照其制造技術可分為分立器件半導體、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類，一般來說這些還會被再分成小類。此外，IC除了在制造技術上的分類以外，還有以應用領域、設計方法等進行分類，最近雖然不常用，但還有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類
半導體材料與器件分析檢測技術培訓班：推動行業發展－培養專業人才
2024年7月17日，由中國科學院人事局資助、中國科學院上海硅酸鹽研究所主辦、上海無機非金屬材料分析測試專業平臺和上海材料與制造大型儀器區域中心協辦的“半導體材料與器件分析檢測技術”培訓班在上海舉辦。分析測試百科網作為本次培訓班的支持媒體進行會議報道。“半導體材料與器件分析檢測技術”培訓班參會人
AFM測半導體
半導體加工通常需要測量高縱橫比結構,像溝槽和孔洞,確定刻蝕深度。然而如此信息用SEM 技術是無法直接得到的,除非將樣品沿截面切開。AFM 技術則恰恰彌補了SEM 的這一不足,它只掃描試樣的表面即可得到高度信息,且測量是無損的,半導體材料在測量后即可返回到生產線。AFM 不僅可以直觀地看到光柵的形貌,
功率半導體器件有哪些國標
功率半導體是弱電控制與強電運行之間、信息技術與先進制造之間的橋梁，是國民經濟的重要基礎，在國民經濟各領域和國防工業中無所不在。隨著世界各國對節能減排的需求越來越迫切，功率半導體器件已從傳統的工業控制和4C(通信、計算機、消費電子、汽車)領域邁向新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多產業。隨著中國
監控量測（下）
拱頂下沉量測測點，一般布置在拱中和兩側拱腰，每斷面布置三點，當受通風管或其它障礙時，可適當移動位置。 f.圍巖位移和錨桿軸力量測 根據圍巖條件和工程重要程度，每斷面設置2～5個測點。 g.隧道鋼拱架的應力～應變量測 隧道鋼拱架的應力～應變量測，采用能受支撐屈服強度的應力盒
監控量測（下）
拱頂下沉量測測點，一般布置在拱中和兩側拱腰，每斷面布置三點，當受通風管或其它障礙時，可適當移動位置。 f.圍巖位移和錨桿軸力量測 根據圍巖條件和工程重要程度，每斷面設置2～5個測點。 g.隧道鋼拱架的應力～應變量測 隧道鋼拱架的應力～應變量測，采用能受支撐屈服強度的應力盒
元器件展會|2024上海國際半導體分立器件展覽會「上海元器件展」
展會概況展會名稱：2024中國（上海）國際電子展覽會展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際博覽中心展會規模：50,000平方米、800家展商、90,000名專業觀眾??展會介紹：? ? ? ?電子產業是電子信息產業的基礎支撐，中國電子元器
常見的功率半導體器件有哪些？（一）
功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。按照分類來看，功率半導體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產品。近年來，功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能
常見的功率半導體器件有哪些？（二）
5、PEBB（PowerElectricBuildingBlock）電力電子積木PEBB（PowerElectricBuildingBlock）是在IPEM的基礎上發展起來的可處理電能集成的器件或模塊。PEBB并不是一種特定的半導體器件，它是依照最優的電路結構和系統結構設計的不同器件和技術的
“納米畫筆”勾勒未來低維半導體器件
如今人們的生活節奏在加快，對電子設備的要求也越來越高。各種新款電子設備都在變著法子表明自己功能更強大、體型更輕薄。然而，電子設備的功能越豐富、性能越強大，意味著這些設備單位體積中容納的電子元件數目越多；體型越小意味著這些電子元件功能單元的體積越來越小。 就像我們每天都使用的手機，它的中央處理
半導體展會|2024上海微波射頻器件展覽會「上海半導體展」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）被大會接收。 IEEE IEDM是一個年度微電子和納電子學術會議，是
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/491041.shtm 科技日報合肥12月12日電 （記者吳長鋒）12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學
高可靠性人工突觸半導體器件問世
韓國科學技術研究院（KIST）神經形態工程中心研究團隊宣布開發出一種能進行高度可靠神經形態計算的人工突觸半導體器件，解決了神經形態半導體器件憶阻器長期存在的模擬突觸特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日發表在《自然·通訊》雜志上。 模仿人腦的神經擬態計算系統技術應運而生，克服了現有馮諾依
超小型半導體器件助芯片穩壓濾噪
低壓差線性穩壓器（LDO）是芯片內部的“穩壓心臟”，可為不同功能模塊提供干凈、穩定的電源。韓國蔚山科學技術院的研究團隊研發出一種超小型混合LDO，有望顯著提升先進半導體器件的電源管理效率。它不僅能更穩定地輸出電壓，還能濾除噪聲，同時占用更少的空間，為人工智能、6G通信等領域的高性能片上系統提供了
半導體所新型感算器件研究獲進展
隨著人工智能、物聯網及智慧醫療等新型信息交互領域的發展，基于傳統馮諾依曼架構的計算機系統以及工藝迭代帶來的算力提升越來越難以滿足數據處理及復雜神經網絡模型運算的需求。神經形態器件作為一種模擬人腦的高效低功耗的信息處理模型，在信息處理方面具有天然優勢。目前，以憶阻器為代表的人工突觸器件廣泛應用于神
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
半導體功率器件可靠性水基清洗分析
導讀：目前5G通訊和新能源汽車正進行得如火如荼，而功率器件及半導體芯片正是其核心元器件。如何確保功率器件和半導體芯片的品質和高可靠性？一、什么是半導體：半導體是指同時具有容易導電的“導體”和不導電的“絕緣體”兩方面特性的物質。能夠實現交流電轉為直流電—“整流”、增大電信號—“增幅”、導通或者阻斷電—
使用半導體ATE設備測試的常用射頻器件
具有高速數字或射頻器件和組件的半導體晶片 無線通信芯片，例如用于蜂窩、WiFi和其他物聯網應用的芯片 大容量微波單片集成電路(MMIC) 標準封裝的射頻設備/組件 必須滿足質量控制和合格性能的中型或大型軍事或工業部件 任何可根據EMC標準進行自動測試的設備，如FCC、CRISPR、CE
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批