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  • 發布時間:2020-12-07 21:08 原文鏈接: 半導體器件的開關特性

      MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件,它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極(D)和源極(S),由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種,每種又可按其工作特性進一步分為增強型和耗盡型兩類。

      1、靜態特性

      MOS管作為開關應用時,同樣是交替工作在截止與飽和兩種工作狀態。

      N溝道增強型MOS管的開關特性為:當柵源電壓vGS<開啟電壓VTN時,管子工作在截止狀態,類似于開關斷開;當柵源電壓vGS>開啟電壓VTN(大約在1~2V之間),且漏源電壓加大到一定程度,滿足vDS≥vGS-VTN時,管子工作在飽和狀態,類似于開關接通。

      P溝道增強型MOS管與N型溝道增強型MOS管所不同的是,其工作電壓vGS和vDS均為負電壓,開啟電壓VTP一般大約在-2.5~-1.0V之間。

      2、動態特性

      MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程,但其動態特性主要取決于與電路有關的充、放電所需的時間,而MOS管內部電荷“建立”和“消散”的時間很短。


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