鋁焊墊俄歇分析中荷電效應影響及其降低方法
鋁焊墊表面殘留物的檢測是確保鋁焊墊質量的重要指標。俄歇電子能譜儀(AES)由于檢測區域小、表面分析靈敏度高,被廣泛用于集成電路(IC)芯片制造中鋁焊墊的表面成分分析,但荷電效應的存在常常會影響俄歇分析的結果。鋁焊墊分析過程中,消除或者減少荷電效應是保證俄歇分析結果正確的前提。從優化俄歇電子能譜儀分析條件(比如降低入射電壓、傾斜樣品載物臺、Ar+離子中和)和使用輔助方法改善樣品導電性兩大方面,介紹了幾種減少荷電效應的有效方法,提出了鋁焊墊俄歇分析的基本流程。結果表明,此分析流程能有效提高分析效率,為業內俄歇分析人員提供借鑒。......閱讀全文
鋁焊墊俄歇分析中荷電效應影響及其降低方法
鋁焊墊表面殘留物的檢測是確保鋁焊墊質量的重要指標。俄歇電子能譜儀(AES)由于檢測區域小、表面分析靈敏度高,被廣泛用于集成電路(IC)芯片制造中鋁焊墊的表面成分分析,但荷電效應的存在常常會影響俄歇分析的結果。鋁焊墊分析過程中,消除或者減少荷電效應是保證俄歇分析結果正確的前提。從優化俄歇電子能譜儀分析
鋁焊墊俄歇分析中荷電效應影響及其降低方法
鋁焊墊表面殘留物的檢測是確保鋁焊墊質量的重要指標。俄歇電子能譜儀(AES)由于檢測區域小、表面分析靈敏度高,被廣泛用于集成電路(IC)芯片制造中鋁焊墊的表面成分分析,但荷電效應的存在常常會影響俄歇分析的結果。鋁焊墊分析過程中,消除或者減少荷電效應是保證俄歇分析結果正確的前提。從優化俄歇電子能譜儀分析
俄歇效應簡介
俄歇效應（Auger effect）是原子發射的一個電子導致另一個或多個電子（俄歇電子）被發射出來而非輻射X射線（不能用光電效應解釋），使原子、分子成為高階離子的物理現象，是伴隨一個電子能量降低的同時，另一個（或多個）電子能量增高的躍遷過程。“俄歇效應”是以其發現者，法國人皮埃爾·維克托·俄歇（Pi
荷電效應的評價方法
在掃描電鏡(SEM)中,通過記錄和實時處理電子束輻照樣品過程中產生的吸收電流La,評價非導電樣品的荷電效應.對于非導電樣品,La的絕對值很小,且變化幅度很大,這是電荷在非導電樣品表面被捕獲、積累和釋放過程的直接反映.此外,La還可用來評價荷電補償(改變環境壓力、改變成像參數及對樣品表面進行導電處理)
荷電效應的評價方法
在掃描電鏡(SEM)中,通過記錄和實時處理電子束輻照樣品過程中產生的吸收電流La,評價非導電樣品的荷電效應.對于非導電樣品,La的絕對值很小,且變化幅度很大,這是電荷在非導電樣品表面被捕獲、積累和釋放過程的直接反映.此外,La還可用來評價荷電補償(改變環境壓力、改變成像參數及對樣品表面進行導電處理)
俄歇效應研究應用
1953 年，蘭德首次進行了俄歇電子能譜用于表面分析的研究。到1967年哈里斯采用電子能量微分法，使電子能量分布曲線上的俄歇譜峰通本底區分開來，才使得俄歇效應的應用走上實用階段。圖1 俄歇電子能譜儀基于俄歇效應的俄歇電子能譜儀是一種實用較廣的表面分析儀器?[1]??，它靠檢測自表面逸出的俄歇電子的特
俄歇效應作用
俄歇效應作用是研究核子過程（如捕捉過程與內轉換過程）的重要手段。同時從俄歇電子的能量與強度，可以求出原子或分子中的過渡幾率。反之，由已知能量的俄歇光譜線，可以校準轉換電子的能量。按照這一效應，已制成俄歇電子譜儀，在表面物理、化學反應動力學、冶金、電子等的領域內進行著高靈敏度的檢測與快速分析。
什么是荷電效應
對于導電性能不好的樣品如半導體材料,絕緣體薄膜,在電子束的作用下,其表面會產生一定的負電荷積累,這就是俄歇電子能譜中的荷電效應.樣品表面荷電相當于給表面自由的俄歇電子增加了一定的額外電壓, 使得測得的俄歇動能比正常的要高.在俄歇電子能譜中,由于電子束的束流密度很高,樣品荷電是一個很嚴重的問題.有些導
什么是荷電效應
對于導電性能不好的樣品如半導體材料,絕緣體薄膜,在電子束的作用下,其表面會產生一定的負電荷積累,這就是俄歇電子能譜中的荷電效應.樣品表面荷電相當于給表面自由的俄歇電子增加了一定的額外電壓, 使得測得的俄歇動能比正常的要高.在俄歇電子能譜中,由于電子束的束流密度很高,樣品荷電是一個很嚴重的問題.有些導
俄歇效應發現過程
奧地利科學家Lise Meitner在1920年首先觀察到俄歇過程。1925年，Pierre Victor Auger在Wilson云室實驗中采用高能X射線來電離氣體，并觀察到了光電子。對電子的測量分析表明其軌跡與入射光子的頻率無關，這表明電子電離的機制是原子內部能量交換或無輻射躍遷；運用基本量子力
俄歇效應的相關介紹
俄歇效應是原子發射的一個電子導致另一個或多個電子（俄歇電子）被發射出來而非輻射X射線（不能用光電效應解釋），使原子、分子成為高階離子的物理現象，是伴隨一個電子能量降低的同時，另一個（或多個）電子能量增高的躍遷過程。以法國人Pierre Victor Auger的名字命名。 當X射線或γ射線輻射
關于俄歇效應的作用介紹
俄歇效應作用是研究核子過程（如捕捉過程與內轉換過程）的重要手段。同時從俄歇電子的能量與強度，可以求出原子或分子中的過渡幾率。反之，由已知能量的俄歇 光譜線，可以校準轉換電子的能量。按照這一效應，已制成俄歇電子譜儀，在表面物理、 化學反應動力學、冶金、電子等的領域內進行著高靈敏度的檢測與快速分析。
俄歇電子能譜的樣品表面的處理和制備
(1) 離子束濺射因樣品在空氣中極易吸附氣體分子（包括元素O、C等），當需要分析氧、碳元素或清潔被污染的固體表面時，應先用離子束濺射樣品，去除污染物。(2) 樣品制備含有揮發性物質和表面污染的樣品：對樣品加熱或用溶劑清洗。清洗溶劑：正己烷、丙酮、乙醇等。絕對禁止帶有強磁性的樣品進入分析室，因磁性會導
俄歇表面分析（4）
俄歇表面分析俄歇電子在固體中運行也同樣要經歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于 10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源，電子束可以聚焦、
俄歇分析的選擇
Z＜15的輕元素的K系俄歇電子以及所有元素的L系和M系俄歇電子產額都很高。由此可見，俄歇電子能譜對輕元素的檢測特別敏感和有效。
粉末樣品的處理
粉體樣品有兩種常用的制樣方法。一是用導電膠帶直接把粉體固定在樣品臺上,一是把粉體樣品壓成薄片,然后再固定在樣品臺上。前者的優點是制樣方便,樣品用量少,預抽到高真空的時間較短;缺點是膠帶的成分可能會干擾樣品的分析,此外荷電效應也會影響到俄歇電子譜的采集。后者的優點是可以在真空中對樣品進行處理,如加熱、
俄歇電子能譜儀粉末樣品的處理
粉體樣品有兩種常用的制樣方法。一是用導電膠帶直接把粉體固定在樣品臺上,一是把粉體樣品壓成薄片,然后再固定在樣品臺上。前者的優點是制樣方便,樣品用量少,預抽到高真空的時間較短；缺點是膠帶的成分可能會干擾樣品的分析,此外荷電效應也會影響到俄歇電子譜的采集。后者的優點是可以在真空中對樣品進行處理,如加
俄歇躍遷
對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發，內層 電子被 電離， 留下一個空穴。 此時原子處于激發態， 不穩定。 較高能級上的一個電子降落到內層
俄歇復合
俄歇復合是半導體中一個類似的俄歇現象：一個電子和空穴（電子空穴對）可以復合并通過在能帶內發射電子來釋放能量，從而增加能帶的能量。其逆效應稱作碰撞電離。
俄歇電子能譜原理介紹及其在元素成像中的應用
海南大學周陽副教授 海南大學周陽副教授發表主題為“俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy）原理介紹及其在元素成像中的應用”的精彩報告。俄歇電子能譜（AES）是一種表面科學和材料科學的分析技術，可用于獲得元素種類，含量和分布等信息。其原理是：當原子內層電子被激發
平行俄歇電子分析儀
俄歇電子能譜(AES)是目前用于固體最表層原子元素標識的一種方法,對于許多先進電子設備的研發至關重要,而且也廣泛應用于從氣相化學到納米結構表征等多個領域。現有AES硬件仍存在著笨重、昂貴、速度慢等問題,而且需要超高真空環境來實現分析功能。英國約克大學研制的分析儀可在一秒鐘內捕捉到全部俄歇光譜。
平行俄歇電子分析儀
俄歇電子能譜法(AES)是一種了解固體原子層面特性的方法,這一方法對開發許多最先進的電子設備至關重要,已經成功應用于從氣相化學到納米結構特性的廣泛領域。?
利用俄歇電子能譜儀研究Al焊墊表面的F腐蝕
Al焊墊的質量關系著半導體器件及封裝的質量和可靠性。多項研究表明Al焊墊表面的沾污增強了Al焊墊腐蝕的可能性,特別是焊墊表面刻蝕后殘留的F元素,極容易在焊墊表面引起各種類型得腐蝕。應用俄歇電子能譜儀,研究了兩種發生在焊墊表面的腐蝕現象,結合其他失效分析手段,分析了Al焊墊表面的F腐蝕的成因。研究結果
掃描電子顯微成像及彈性電子峰譜分析的模擬研究
電子顯微和電子能譜分析技術的迅速發展和廣泛應用,需要理論方面的研究支持。本文首先簡單介紹了掃描電子顯微鏡等相關探測技術的基本原理和發展趨勢,概述了相關的電子與固體相互作用的理論、Monte Carlo模擬計算方法在相關領域的應用。其次,概述了掃描電子顯微(SEM)和掃描俄歇電子顯微(SAM)成像模擬
俄歇電子能譜儀在材料分析中的應用
俄歇電子能譜儀(AES)是建立在電子技術、弱信號檢測技術和超高真空技術基礎上的一種研究材料表面組成元素的新型分析儀器。本文介紹了俄歇電子能譜技術的基本原理、技術發展和樣品制備技術,重點介紹了俄歇電子能譜儀在材料分析(失效分析、表面分析、微區分析等)方面的應用。俄歇電子能譜儀在材料表面性質研究方面,有
俄歇電子的產生和俄歇電子躍遷過程
一定能量的電子束轟擊固體樣品表面，將樣品內原子的內層電子擊出，使原子處于高能的激發態。外層電子躍遷到內層的電子空位，同時以兩種方式釋放能量：發射特征X射線；或引起另一外層電子電離，使其以特征能量射出固體樣品表面，此即俄歇電子。俄歇躍遷的方式不同，產生的俄歇電子能量不同。上圖所示俄歇躍遷所產生的俄歇電
XPS能譜儀XPS譜圖分析技術
在XPS譜圖中,包含極其豐富的信息,從中可以得到樣品的化學組成,元素的化學狀態及其各元素的相對含量。XPS譜圖分為兩類,一類是寬譜(wide)。當用AlKα或MgKα輻照時,結合能的掃描范圍常在0-1200eV或?0-1000eV。在寬譜中,幾乎包括了除氫和氦元素以外的所有元素的主要特征能量的光電子
俄歇電子能譜分析的用途
元素的定性和半定量分析（相對精度30%）；元素的深度分布分析（Ar離子束進行樣品表面剝離）；元素的化學價態分析；界面分析
俄歇電子能譜分析的依據
俄歇電子的激發方式雖然有多種（如X射線、電子束等），但通常主要采用一次電子激發。因為電子便于產生高束流，容易聚焦和偏轉。分析依據：俄歇電子的能量具有特征值，其能量特征主要由原子的種類確定，只依賴于原子的能級結構和俄歇電子發射前它所處的能級位置, 和入射電子的能量無關。測試俄歇電子的能量，可以進行定性
俄歇電子能譜分析的特點
1）分析層薄，0～3nm。AES的采樣深度為1～2nm，比XPS（對無機物約2nm，對高聚物≤10nm）還要淺，更適合于表面元素定性和定量分析。（2）分析元素廣，除H和He外的所有元素，對輕元素敏感。（3）分析區域小，≤50nm區域內成分變化的分析。由于電子束束斑非常小，AES具有很高的空間分辨率，