鋁焊墊俄歇分析中荷電效應影響及其降低方法
鋁焊墊表面殘留物的檢測是確保鋁焊墊質量的重要指標。俄歇電子能譜儀(AES)由于檢測區域小、表面分析靈敏度高,被廣泛用于集成電路(IC)芯片制造中鋁焊墊的表面成分分析,但荷電效應的存在常常會影響俄歇分析的結果。鋁焊墊分析過程中,消除或者減少荷電效應是保證俄歇分析結果正確的前提。從優化俄歇電子能譜儀分析條件(比如降低入射電壓、傾斜樣品載物臺、Ar+離子中和)和使用輔助方法改善樣品導電性兩大方面,介紹了幾種減少荷電效應的有效方法,提出了鋁焊墊俄歇分析的基本流程。結果表明,此分析流程能有效提高分析效率,為業內俄歇分析人員提供借鑒。 ......閱讀全文
俄歇分析的選擇
Z＜15的輕元素的K系俄歇電子以及所有元素的L系和M系俄歇電子產額都很高。由此可見，俄歇電子能譜對輕元素的檢測特別敏感和有效。
俄歇表面分析（4）
俄歇表面分析俄歇電子在固體中運行也同樣要經歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于 10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源，電子束可以聚焦、
俄歇復合
俄歇復合是半導體中一個類似的俄歇現象：一個電子和空穴（電子空穴對）可以復合并通過在能帶內發射電子來釋放能量，從而增加能帶的能量。其逆效應稱作碰撞電離。
俄歇躍遷
對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發，內層 電子被 電離， 留下一個空穴。 此時原子處于激發態， 不穩定。 較高能級上的一個電子降落到內層
平行俄歇電子分析儀
俄歇電子能譜(AES)是目前用于固體最表層原子元素標識的一種方法,對于許多先進電子設備的研發至關重要,而且也廣泛應用于從氣相化學到納米結構表征等多個領域。現有AES硬件仍存在著笨重、昂貴、速度慢等問題,而且需要超高真空環境來實現分析功能。英國約克大學研制的分析儀可在一秒鐘內捕捉到全部俄歇光譜。
平行俄歇電子分析儀
俄歇電子能譜法(AES)是一種了解固體原子層面特性的方法,這一方法對開發許多最先進的電子設備至關重要,已經成功應用于從氣相化學到納米結構特性的廣泛領域。?
俄歇效應簡介
俄歇效應（Auger effect）是原子發射的一個電子導致另一個或多個電子（俄歇電子）被發射出來而非輻射X射線（不能用光電效應解釋），使原子、分子成為高階離子的物理現象，是伴隨一個電子能量降低的同時，另一個（或多個）電子能量增高的躍遷過程。“俄歇效應”是以其發現者，法國人皮埃爾·維克托·俄歇（Pi
俄歇電子的產生和俄歇電子躍遷過程
一定能量的電子束轟擊固體樣品表面，將樣品內原子的內層電子擊出，使原子處于高能的激發態。外層電子躍遷到內層的電子空位，同時以兩種方式釋放能量：發射特征X射線；或引起另一外層電子電離，使其以特征能量射出固體樣品表面，此即俄歇電子。俄歇躍遷的方式不同，產生的俄歇電子能量不同。上圖所示俄歇躍遷所產生的俄歇電
俄歇電子能譜成分深度分析
AES的深度分析功能是AES最有用的分析功能，主要分析元素及含量隨樣品表面深度的變化。鍍銅鋼深度分析曲線采用能量為500eV～5keV的惰性氣體氬離子濺射逐層剝離樣品，并用俄歇電子能譜儀對樣品原位進行分析，測量俄歇電子信號強度I （元素含量）隨濺射時間t（濺射深度）的關系曲線,這樣就可以獲得元素在樣
俄歇電子能譜分析的原理
俄歇電子能譜分析是通過檢測試樣表面受電子或X射線激發后射出的俄歇電子的能量分布來進行表面分析的方法，寫作AES。是電子能譜分析技術之一。其原理是：用具有一定能量的電子束或X射線激發試樣，使表面原子內層能級產生空穴，原子外層電子向內層躍遷過程中釋放的能量又使該原子核外的另一電子受激成為自由電子，該電子
俄歇電子能譜分析的特點
橫向分辨率取決于入射束斑大小；俄歇電子來自淺層表面(電子平均自由程決定)，其信息深度為1.0-3.0nm；檢測極限可達10-3單原子層（可以有效的用來研究固體表面的化學吸附和化學反應）；并且其能譜的能量位置固定，容易分析；適用于輕元素的分析
俄歇電子能譜分析的用途
元素的定性和半定量分析（相對精度30%）；元素的深度分布分析（Ar離子束進行樣品表面剝離）；元素的化學價態分析；界面分析
俄歇電子能譜分析的依據
俄歇電子的激發方式雖然有多種（如X射線、電子束等），但通常主要采用一次電子激發。因為電子便于產生高束流，容易聚焦和偏轉。分析依據：俄歇電子的能量具有特征值，其能量特征主要由原子的種類確定，只依賴于原子的能級結構和俄歇電子發射前它所處的能級位置, 和入射電子的能量無關。測試俄歇電子的能量，可以進行定性
俄歇電子譜的定性分析
依據：俄歇電子的能量僅與原子本身的軌道能級有關，與入射電子的能量無關。對于特定的元素及特定的俄歇躍遷過程，其俄歇電子的能量是特征的。由此，可根據俄歇電子的動能來定性分析樣品表面物質的元素種類。方法：實際分析的俄歇電子譜圖是樣品中各種元素俄歇電子譜的組合，定性分析的方法是將測得的俄歇電子譜與純元素的標
俄歇電子能譜分析的特點
1）分析層薄，0～3nm。AES的采樣深度為1～2nm，比XPS（對無機物約2nm，對高聚物≤10nm）還要淺，更適合于表面元素定性和定量分析。（2）分析元素廣，除H和He外的所有元素，對輕元素敏感。（3）分析區域小，≤50nm區域內成分變化的分析。由于電子束束斑非常小，AES具有很高的空間分辨率，
關于俄歇電子能譜的俄歇電流的基本介紹
俄歇電子能譜的俄歇電流，從純凈固體表面測得的俄歇電流大約是10-5Ip，Ip是入射電子束流。 俄歇電流原則上可以通過估計電離截面來計算，但由于受多種因子的影響。 計算很復雜，并與實驗符合得不好。 在實際測量時，為了使俄歇電流達到最大，必須選擇適當的EP/EW比例。EP是入射電子的能量，EW是最初
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜簡稱AES，是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。1953年，俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的
俄歇效應研究應用
1953 年，蘭德首次進行了俄歇電子能譜用于表面分析的研究。到1967年哈里斯采用電子能量微分法，使電子能量分布曲線上的俄歇譜峰通本底區分開來，才使得俄歇效應的應用走上實用階段。圖1 俄歇電子能譜儀基于俄歇效應的俄歇電子能譜儀是一種實用較廣的表面分析儀器?[1]??，它靠檢測自表面逸出的俄歇電子的特
俄歇電子產額
俄歇電子產額或俄歇躍遷幾率決定俄歇譜峰強度，直接關系到元素的定量分析。俄歇電子與特征X射線是兩個互相關聯和競爭的發射過程。對同一K層空穴，退激發過程中熒光X射線與俄歇電子的相對發射幾率，即熒光產額(PX)和俄歇電子產額(PA )滿足 PX + PA =1
什么是俄歇復合
電子和空穴復合時將多余的能量傳給另一導帶中的電子或空穴（實際上是傳給加帶中的另一電子），這種形式并不伴隨發射光子，成為俄歇復合。獲得能量的另一載流子再將能量已聲子的形式釋放出去，回到原來的能量水平。
俄歇效應作用
俄歇效應作用是研究核子過程（如捕捉過程與內轉換過程）的重要手段。同時從俄歇電子的能量與強度，可以求出原子或分子中的過渡幾率。反之，由已知能量的俄歇光譜線，可以校準轉換電子的能量。按照這一效應，已制成俄歇電子譜儀，在表面物理、化學反應動力學、冶金、電子等的領域內進行著高靈敏度的檢測與快速分析。
俄歇電子能譜定量分析
大多數元素在50~1000eV能量范圍內都有產額較高的俄歇電子，它們的有效激發體積（空間分辨率）取決于入射電子束的束斑直徑和俄歇電子的發射深度。 能夠保持特征能量（沒有能量損失）而逸出表面的俄歇電子，發射深度僅限于表面以下大約2nm以內，約相當于表面幾個原子層，且發射（逸出）深度與俄歇電子的能量以
俄歇電子能譜的微區分析
微區分析也是俄歇電子能譜分析的一個重要功能，可以分為選點分析，線掃描分析和面掃描分析三個方面。這種功能是俄歇電子能譜在微電子器件研究中最常用的方法，也是納米材料研究的主要手段。（1）選點分析俄歇電子能譜選點分析的空間分別率可以達到束斑面積大小。因此，利用俄歇電子能譜可以在很微小的區域內進行選點分析。
場發射俄歇電子能譜顯微分析
場發射俄歇電子能譜的顯微分析是一項新的分析技術,可對微尺度樣品進行點、線、面的元素組分及元素化學態分析。本文簡要介紹這項新技術的功能原理和在微電子器件檢測等方面的具體應用。?
俄歇電子能譜分析被測樣品要求
導體或半導體材料，表面清潔
關于俄歇電子能譜的表面分析介紹
俄歇電子能譜在固體中運行也同樣要經歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于 10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源，電子束可以聚焦、掃描，因此俄
俄歇電子能譜儀
俄歇電子能譜儀（Auger Electron Spectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
掃描俄歇微探針（SAM）
掃描俄歇微探針（SAM）； 基本功能： （1）可進行樣品表面的微區選點分析（包括點分析，線分析和面分析）； （2）可進行深度分析； （3）化學價態研究 用途： 納米薄膜材料，微電子材料的表 面和界面研究及摩擦化學研究。
俄歇效應發現過程
奧地利科學家Lise Meitner在1920年首先觀察到俄歇過程。1925年，Pierre Victor Auger在Wilson云室實驗中采用高能X射線來電離氣體，并觀察到了光電子。對電子的測量分析表明其軌跡與入射光子的頻率無關，這表明電子電離的機制是原子內部能量交換或無輻射躍遷；運用基本量子力