Avantor:慶祝在臺灣成立電子實驗室
Avantor Performance Materials 慶祝在臺成立電子實驗室 盛大舉行開幕酒會暨半導體產業趨勢論壇 艾萬拓(Avantor Performance Materials)是全球知名的高效能化學品與材料制造商，為了提供臺灣半導體產業更貼近與實時的服務，特別在新竹縣竹北市設立分公司與實驗室，并于今(2011)年9月20日上午舉行盛大的開幕酒會，現場貴賓云集、氣氛熱烈。同時，在當日下午，亦舉辦了半導體產業趨勢論壇，邀請重量級業界貴賓分享科技產業的最新發展趨勢，并為與會者帶來了精辟的前瞻洞見。 艾萬拓執行長Jean-Marc Gilson的開幕致詞，為此隆重儀式正式揭開了序幕。Gilson表示，「艾萬拓是一家擁有140年悠久歷史的公司，以J.T.Baker品牌服務電子產業也有將近30年的時間。在去年由私募公司New Mountain Capital買下后，才更名為艾萬拓公司。」 他強調，有了新投資者的支援......閱讀全文
電子/半導體的概述
定義：電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質稱為半導體： 簡介：室溫時電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因上角標暫不可用，暫用當前方法描述），溫度升高時電阻率則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合
電子型半導體的概念
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。
電子型半導體的形成原理
摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高。對于鍺、硅類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素(磷、砷、銻等)，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多余電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物
電子/半導體的特性有哪些？
半導體[2]五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。 ★在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。 ★在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
電子型半導體的技術特點
半導體是一種導電能力介于導體和絕緣體之間的物質，其按照載流子（或晶體缺陷）的不同可分為P型半導體和N型半導體，半導體的導電性能與載流子（晶體缺陷）的密度有很大關系。半導體中有兩種載流子，即價帶中的空穴和導帶中的電子，以電子導電為主的半導體稱之為N型半導體，與之相對的，以空穴導電為主的半導體稱為P型半
電子型半導體的發展應用
半導體器件的最基本組成單元為PN結，PN結具有正向導通反向絕緣的功能，因此半導體器件在邏輯計算、信號傳輸、電力轉換等諸多方面呈現出巨大優勢。自1947年第一個半導體二極管在貝爾實驗室誕生以來，半導體徹底變革了人類的生產生活方式，全球社會陸續從電氣時代進入信息化時代，并加速向萬物互聯時代和人工智能智能
半導體展會|2024上海汽車電子芯片展覽會「上海半導體展」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
新型薄膜半導體電子遷移速度創紀錄
據美國趣味科學網站16日報道，來自美國麻省理工學院、美國陸軍作戰能力發展司令部（DEVCOM）陸軍研究實驗室和加拿大渥太華大學等機構的科學家，利用名為三元石英的晶體材料，成功研制出一種新型超薄晶體薄膜半導體。薄膜厚度僅100納米，約為人頭發絲直徑的千分之一。其中電子的遷移速度創下新紀錄，約為傳統半導
超純半導體開辟電子研究新領域
普林斯頓大學的研究人員創造了世界上最純的砷化鎵樣品，這是用于衛星等專門系統的一種半導體。照片顯示了觀察二維平面電子的實驗裝置內的樣品。樣品的純度揭示了在相對較弱的磁場下的奇異效應，這種效應尚未有確定的理論框架。圖片來源：普林斯頓大學 美國普林斯頓大學的研究人員研制出了世界上最純凈的砷化鎵樣品。砷
全國半導體照明電子行業測試標準發布
1月24日，由中國電子技術標準化研究所、工業和信息化部半導體照明技術標準化工作組等聯合主辦的2010年全國半導體照明電子行業標準發布及宣傳貫徹大會在廣東省江門市召開，標志著我國LED產業發展進入一個新的歷史時期。 工業和信息化部于2005年成立了半導體照明技術標準工作組。經過多年的努力，工
超純半導體開辟電子研究新領域
普林斯頓大學的研究人員創造了世界上最純的砷化鎵樣品，這是用于衛星等專門系統的一種半導體。照片顯示了觀察二維平面電子的實驗裝置內的樣品。樣品的純度揭示了在相對較弱的磁場下的奇異效應，這種效應尚未有確定的理論框架。 美國普林斯頓大學的研究人員研制出了世界上最純凈的砷化鎵樣品。砷化鎵是一種半導體，用
新型薄膜半導體電子遷移速度創紀錄
?科技日報北京7月17日電?（記者劉霞）據美國趣味科學網站16日報道，來自美國麻省理工學院、美國陸軍作戰能力發展司令部（DEVCOM）陸軍研究實驗室和加拿大渥太華大學等機構的科學家，利用名為三元石英的晶體材料，成功研制出一種新型超薄晶體薄膜半導體。薄膜厚度僅100納米，約為人頭發絲直徑的千分之一。其
安捷倫科技（中國）與華潤微電子（重慶）－共建半導體微污染分析聯合實驗室
2024年10月23日，重慶——安捷倫科技（中國）有限公司近日宣布與中國功率半導體IDM龍頭企業——華潤微電子旗下的華潤微電子（重慶）有限公司（下稱“華潤微（重慶）”）建立全新的合作伙伴關系，在華潤微（重慶）共建“半導體微污染分析聯合實驗室”。實驗室將引入安捷倫ICP-MS為代表的領先無機材料分
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
人類拍攝到半導體材料內部電子運動
英國《自然·納米技術》雜志11日在線發表論文稱,科學家們利用飛秒技術首次成功拍攝到半導體材料內部電子狀態變化。該成果將提供對半導體核心器件前所未有的洞察。 自20世紀后期以來,半導體器件技術進步集中且明顯,譬如晶體管、二極管以及太陽能電池等。這些器件的核心,正是電子在半導體材料中進行的內部運動
半導體超級集群？三星電子和SK海力士聯手劍指半導體
周一（1月15日），韓國當局公布了一項半導體行業的推動計劃，由三星電子和SK海力士共同投資622萬億韓元（合4370億美元），擬到2047年在首爾南部建立一個“半導體超級集群”。 根據韓國產業部和科學部周一的一份聯合聲明，該超級集群將囊括京畿道南部的多個工業園區，總面積將達到2100萬平方米，
電子展|上海電子展|半導體封測展|電子制造展|SMT展|PCBA展
2024上海國際電子制造設備展覽會? ? ? ? ? ? ? ? ??時間： 2024年11月18-20日?地點： 上海新國際博覽中心主辦：中國電子器材有限公司協辦：香港貿易發展局? ? 臺灣區電機電子工業同業公會 韓國電子產業振興會? ? 日本電子展協會? ?中國電子元件行業協會展會背景：電子
半導體照明半導體照明聯合創新國家重點實驗室通過論證
“半導體照明半導體照明聯合創新國家重點實驗室(籌)”通過國家科技部建設方案可行性論證 8月23日，科技部基礎研究司組織專家組召開了“半導體照明半導體照明聯合創新國家重點實驗室(籌)”建設方案可行性論證會議。科技部有關領導及有關專家出席了論證會。論證會由現場考察與實驗室答辯兩部分組成。
掃描電子顯微鏡的半導體的電子束注入分析
掃描電子顯微鏡的探針——高能電子的性質使其特別適合于檢查半導體材料的光學和電子特性。掃描電鏡電子束中的高能電子將把載流子注入半導體。因此，電子束中的電子通過使電子受激從價帶進入導帶而失去能量，留下空穴。 在直接帶隙材料中，這些電子-空穴對的復合將產生陰極射線發光；如果樣品含有內部電場，如pn結
電子級二維半導體與柔性電子器件研究新進展
在半導體器件不斷小型化和柔性化的趨勢下，以二硫化鉬（MoS2）等過渡金屬硫屬化合物（TMDC）為代表的二維半導體材料顯示出獨特優勢，具有超薄厚度（單原子層或少原子層）和優異的電學、光學、機械性能及多自由度可調控性，使其在未來更輕、更薄、更快、更靈敏的電子學器件中具有優勢。然而，現階段以器件應用為
著名半導體光電子學家王圩逝世
1月26日，中科院半導體所發布王圩院士訃告。 以下為訃告全文：訃告 中國共產黨優秀黨員、中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體光電子學家王圩先生因病醫治無效，不幸于2023年1月26日18點11分在北京逝世，享年86歲。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
EDI超純水設備在電子半導體行業的應用
電子半導體行業生產過程中對水的應用要求較高，因此大多企業都會選擇性價比較高的EDI超純水設備。電子半導體行業EDI超純水設備通常由多介質過濾器，活性碳過濾器，鈉離子軟化器、精密過濾器等構成預處理系統、RO反滲透主機系統、離子交換混床(EDI電除鹽系統)系統等構成主要設備系統。 原水箱、中間水箱、
半導體電子汽車衡傳感器信號調節
隨著半導體器件與集成技術在傳感器中的應用，電子汽車衡傳感器的信號調節與轉換可以安裝在傳感器的殼體里與敏感元件一起集成在同一芯片上。因此，信號調節與轉換電路以及所需電源都應作為傳感器的組成部分。通常，電子汽車衡傳感器由敏感元件和轉換元件組成。但是由于電子汽車衡傳感器輸出信號一般都很微弱，需要有信號調節
2024中國半導體展|上海半導體電子展覽會11.1820日
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
2025深圳13屆國際電子塑料封裝展「半導體展會」
官網」2025深圳13屆國際半導體技術展「半導體展會」展會時間：2025年4月9日-11日論壇時間：2025年4月9日-11日舉辦地點深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模：?面積10萬平米，展商1800余家，展位3600多個，觀眾近10萬人次展會報名：136 （李先生）中間四位數：
半導體異質結隧穿電子調控機制研究取得進展
中科院上海技物所紅外科學與技術重點實驗室胡偉達、苗金水團隊與賓州大學德普·賈瑞拉教授合作，通過耦合局域場調控二維原子晶體能帶，實現硒族半導體/硅半導體異質結隧穿電子的有效操控，為混合維度異質結構在高性能電子與光電子器件研制方面提供了理論與實驗基礎。相關成果于2022年10月28日以“Heteroju
俄學者發現空氣對納米電子半導體有致命影響
俄羅斯托木斯克理工大學發布消息稱，該校與德國、委內瑞拉的科學家最近證實了二維半導體硒化鎵在空氣中的易損性，該重要發現有助于制造硒化鎵基超導納米電子產品。研究結果發表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)雜志上。 現代材料學中
電子/半導體的主要應用在哪些方面
現在的電子電路里面基本上離不開半導體器件， 咱們用的電腦手機，里面的集成電路就是用半導體做的，主要是用 硅做材料。各種電器里面的電路也都要用到半導體器件。在電力系統 （如晶閘管）、光電領域（激光、LED、CCD、照相機的鏡頭）都有廣泛應用。 集成電路 它是半導體技術發展中最活躍的一個領域，已發
半導體激光器在電子焊接領域的應用
高密度互連隨著電子器件和集成電路的微型發展，使得傳統的軟熔焊接方法不斷受到挑戰。如何在高密度相互連接中成功地完成對每個細小的焊腳的焊接，而不造成相鄰焊腳間的粘連和電路板的熱損壞，采用激光進行無接觸焊接成為解決方案之一。以前，能夠提供足夠功率的激光器大多體積龐大、日常維護成本高，因此很不實用。但是，隨
電子所半導體泵浦銣蒸氣激光出光
5月18日11時，由中科院電子學研究所高功率氣體激光技術部（五室）研制的半導體泵浦銣蒸氣激光器實現激光輸出。此前國內僅國防科技大學于2011年7月實現了半導體泵浦銣蒸氣激光出光。 半導體泵浦銣蒸氣激光器屬于半導體泵浦堿金屬激光器。半導體泵浦堿金屬蒸氣激光器英文簡稱為D