離子源的應用離子束
離子源是用以獲得離子束的裝置。我們知道，在各類離子源中，用得最多的是等離子體離子源，即用電場將離子從一團等離子體中引出來。這類離子源的主要參數由等離子體的密度、溫度和引出系統的質量決定。屬于這類離子源的有:潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙等離子體源、富立曼離子源等。另一類使用較多的離子源是電子碰撞型離子源，主要用于各種質譜儀器中。此外，離子源還有表面電離源、光致電離離子源、液態金屬離子源等類型。......閱讀全文
Zeiss－FIB聚焦離子束－共享
儀器名稱：聚焦離子束 Zeiss FIB儀器編號：16005806產地：德國生產廠家：蔡司型號：Auriga出廠日期：201506購置日期：201603所屬單位：材料學院>材料中心 >電鏡中心放置地點：主樓東配樓11-112固定電話：固定手機：固定email：聯系人：王永力（010-62773015
【分享】FIB－聚焦離子束分析
FIB介紹聚焦離子束技術（Focused Ion beam，FIB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實現材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展迅速，而納米加工就是納米制造業的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚
1200萬采購高端儀器！中國科學院化學研究所采購意向公開
為便于供應商及時了解政府采購信息，根據《財政部關于開展政府采購意向公開工作的通知》（財庫〔2020〕10號）等有關規定，現將中國科學院化學研究所2023年10至12月政府采購意向公開如下：號采購單位采購項目名稱采購品目采購需求概況預算金額(萬元)預計采購日期備注1中國科學院化學研究所高端儀器采購
離子源加熱的問題
現象：????? 今天我更換5975的離子源，換上一個清洗過的離子源，剛開始抽真空時便嗅到一股強烈的塑料燒焦的味道從MSD中傳出，打開instrument control界面時發現離子源溫度顯示為511攝氏度隨后離子源報錯。放真空后重新安裝離子源后，再抽真空又能嗅到強烈的焦味，檢查真空狀態時仍顯示離
質譜儀離子源的維護
離子源的維護離子源的維護主要是離子源的清洗。這里以目前較為常用的ESI離子源為例，簡單闡述其清洗要點，ESI離子源的清洗非常重要一般情況下，每隔幾天就需對離子源進行一次清洗。各個儀器廠家的ESI離子源雖然存在一定差別，但清洗的方法卻大同小異。首先是離子源的拆卸，每個儀器廠商的離子源耦合到質譜上的方式
質譜儀離子源的清洗
? ??1、降低接口溫度、離子源溫度、四極桿溫度（以四極桿質譜儀為例），關閉質譜儀電源。 2、打開卸壓閥，緩慢卸壓到常壓。 3、打開離子源艙門（此步驟開始最好佩帶口罩以及不掉毛手套）。 4、使用專用工具按照拆卸步驟將離子源整體取出放置在的清洗臺面。 5、使用專用工具將離子源各部件一一拆開，分
離子源的作用是什么，試述幾種常見離子源的原理
離子源的作用是什么，試述幾種常見離子源的原理利用稀薄氣體中的高頻放電現象使氣體電離，一般用來產生低電荷態正離子，有時也從中引出負離子，作為負離子源使用。在高頻電場中，自由電子與氣體中的原子(或分子)碰撞，并使之電離。帶電粒子倍增的結果，形成無極放電，產生大量等離子體。高頻離子源的放電管一般用派勒克斯
液質聯用的離子束接口介紹
離子束接口（ particle-beam interface,PB ） 是從單分散 氣溶膠界面（monodisperse aerosol generating interface for chromatography, MAGIC）發展來的。該接口將液相色譜的流動相在 常壓下借助氣動霧化產生氣溶
聚焦離子束加工中的主要缺陷
聚焦離子束(FIB)是一種微納米加工技術，其基本原理與掃描電子顯微鏡(SEM)類似，采用離子源發射的離子束經過加速聚焦后作為入射束，高能量的離子與固體表面原子碰撞的過程中可以將固體原子濺射剝離，因此，FIB更多的是被用作直接加工微納米結構的工具。結合氣體注入系統(GIS)，FIB可以輔助進行化學氣相
趙紅衛獲國際離子源領域最高獎“明亮獎”
我國超導高電荷態ECR離子源研究獲重大進展 近期在美國召開的第十三屆國際離子源大會上，中國科學院近代物理研究所副所長趙紅衛與美國勞倫斯貝克利國家實驗室(LBNL)核科學部副主任克勞德拉依尼斯(Claude Lyneis)，88英尺回旋加速器室主任戴妮婭拉賴特訥(Daniela Leitne
SECRALII超導離子源為重離子加速器穩定供束超過1000小時
2018年12月11日至2019年1月24日，中國科學院近代物理研究所新投入運行的全超導ECR離子源SECRAL-II（圖1）為蘭州重離子加速器HIRFL-CSR上核物理實驗提供了高流強高電荷態86Kr25+離子束，SECRAL-II本次供束不間斷連續穩定運行時間超過1000小時（圖2），展示了
XPS能譜儀氬離子束濺射技術介紹
為了清潔被污染的固體表面,在X射線光電子能譜分析中,常常利用離子槍發出的離子束對樣品表面進行濺射剝離,以清潔表面。利用離子束定量地剝離一定厚度的表面層,然后再用XPS分析表面成分,這樣就可以獲得元素成分沿深度方向的分布圖,這是離子束最重要的應用。作為深度分析的離子槍,一般采用0.5～5 KeV的Ar
FIB是什么意思
FIB(聚焦離子束，Focused Ion beam)是將液態金屬(Ga)離子源產生的離子束經過離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產生二次電子信號取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似,或用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工.通常是以物理濺射的方式搭配化學氣體反應，
聚焦離子束顯微鏡在芯片設計及加工過程中的應用介紹
1.IC芯片電路修改用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便更快更準確的驗證設計方案。 若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。FIB還能在最終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用
近物所建成高電荷態重離子RFQ加速器和強流激光離子源
中科院近代物理研究所近期建成一臺高電荷態重離子RFQ（射頻四極）加速器和與之匹配的強流高電荷態激光離子源。這是在我國建成出束的第一臺高電荷態重離子RFQ加速器和第一臺用于加速器的高電荷態激光離子源，在未來的重離子腫瘤治療專用加速器和強流重離子同步加速器等領域具有重大應用前景。 通過與國外同
TESCAN連續推出三款電子顯微鏡新品！第四代電鏡驚艷現世
2018年11月，TESCAN先后發布了三款掃描電子顯微鏡新品：S9000G超高分辨型鎵離子源雙束FIB系統，S9000超高分辨型場發射掃描電鏡，S8000X高分辨型氙等離子源雙束FIB系統！作為全球電子顯微鏡及聚焦離子束等設備的主要供應商，TESCAN一直致力于新產品、新技術的創新和研發，以滿
什么是離子源
離子源是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。它是各種類型的離子加速器、質譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機、離子束刻蝕裝置、離子推進器以及受控聚變裝置中的中性束注入器等設備的不可缺少的部件。
常用離子源詳解
電子轟擊電離（Electron Impact Ionization, EI）質譜中最常用的離子源，一般為70 eV的電子束，遠大于大多數有機化合物的電離電位（7~15 eV），會使相當多的分子離子進一步裂解，產生廣義的碎片離子。優點：1）結構簡單，穩定，電離效率高，易于實現；2）質譜圖再現性好，便于
離子源如何清洗
離子源的清洗方法為：對金屬的清洗和非金屬部件的清洗。對金屬部件來說，首先用棉簽濕水后沾上專門的氧化鋁粉（菲林跟有配）來摩擦金屬部件。注意不要讓氧化鋁粉干燥！氧化鋁粉洗完后，用水浸泡金屬部件，然后超聲15分鐘，然后把水倒掉，用丙酮浸泡，再超聲15分鐘，烘干就可。對于非金屬部件，就免掉吵聲這一步驟。離子
TEM制樣聚焦離子束法
聚焦離子束法適用于半導體器件的線路修復和精確切割。聚焦離子束系統（FIB），利用源自液態金屬鎵的離子束來制備樣品。通過調整束流強度，FIB可以對樣品的指定區域進行快速和極精細的加工。其匯聚掃描方式可以是矩形、線形或點狀。FIB可以制備供掃描透射電鏡觀測用的各種材料的薄膜樣品。
“人造太陽”首獲兆瓦級強流離子束
本記者從中科院合肥物質研究院了解到，我國新一代“人造太陽”實驗裝置EAST中性束注入系統（NBI）測試臺近日在進行大功率離子束引出實驗過程中，首次成功獲得兆瓦級強流離子束。? 負責這項研究工作的研究員胡純棟介紹，EAST中性束注入系統（NBI）測試臺在實驗過程中，成功獲得束能量50千伏，束
質譜離子源的分類
1 電感耦合等離子體，離子化效率高，且能電離幾乎所有離子2 熱電離 （通過高溫電熱絲離子化），穩定，但效率低。3 二次離子 （使用一次離子束轟擊樣品，從而激發離子），對樣品損傷小，效率低
高頻離子源的相關介紹
利用稀薄氣體中的高頻放電現象使氣體電離，一般用來產生低電荷態正離子，有時也從中引出負離子，作為負離子源使用。 在高頻電場中，自由電子與氣體中的原子(或分子)碰撞，并使之電離。帶電粒子倍增的結果，形成無極放電，產生大量等離子體。高頻離子源的放電管一般用派勒克斯玻璃或石英管制作。高頻場可由管外螺線
液質聯用的離子源
液質聯用的離子源，最早來源于ESI的誕生。最早是由analytica公司做的，大約在80年代。后來各公司不斷改進，形成了各個公司ZL的離子源。其中，有獨立ZL技術的有：Finnigan、Waters、AB、安捷倫。Bruker和安捷倫是合作關系，它讓安捷倫用自己的離子阱，它就用了安捷倫的離子源，是一
離子注入機的結構組成
離子注入機由5部分組成：離子源、離子引出和質量分析器、加速管、掃描系統、工藝腔。 1、離子源 離子注入機利用離子源中燈絲產生的熱電子在電場的作用下轟擊氣體分子，使之電離。待注入的雜質源如果是氣態，便可以直接引入到離子源的電場中，如果是固態，則還需加熱蒸發，變為氣相后引入到這個電場中。氣相的雜
徠卡EM－TIC3X三離子束切割拋光儀在地質樣品中的應用
用于掃描電鏡分析的地質樣品有油頁巖、煤層、礦石、土壤和沉積物等多種類型，而對這些樣品進行制樣處理的主要操作就是獲得一個無損傷的平整面。機械切割和機械磨拋很難避免處理過程中造成樣品的微觀組織破壞和磨料污染現象。特別是在掃描電鏡高放大倍數的形貌觀察下，地質樣品的微觀結構破壞非常明顯，如下圖1所示：圖1.
孫良亭獲2025年度國際粒子加速器獎“西川哲治獎”
6月1至6日，第16屆國際粒子加速器大會（IPAC25）在臺灣舉行。會議期間，舉行了隆重的2025度國際粒子加速器與未來加速器亞洲委員會頒獎儀式（ ACFA/IPAC25 Accelerator Prizes）。中國科學院近代物理研究所研究員孫良亭因其在高電荷態ECR（電子回旋共振）離子源，特別是超
一種新型二次離子質譜的一次離子源及其離子光學系統
1 引 言? 二次離子質譜（Secondary ion mass spectrometry, SIMS） 是目前靈敏度最高的表面化學分析的手段之一。它具有10－9量級的靈敏度, 能分析幾乎所有的導體、半導體和絕緣體材料, 甚至還可以檢測不易揮發的有機分子等[1～3]。通常,?二次離子質譜工作在
高輝度離子源
隨著中國汽車工業的迅猛發展，汽車產量和保有量年年上升。根據國家相關法律法規規定，為了保障人民的財產安全，汽車到了一定的使用年限必須報廢，我國2016年汽車產量為2000多萬輛，由此可見報廢汽車對帶來的環境與資源壓力日益嚴重。為了減少報廢汽車對生態環境的破壞，保護人體健康安全，提高整個汽車產業鏈的
質譜常用離子源
最常用的離子源五種離子源為電子轟擊源（EI）、化學電離源（CI）、電噴霧電離源（ESI）、大氣壓化學電離源（APCI）和基質輔助激光解吸電離源（MALDI）。目前我們所測試中心配備的主要是電子轟擊源（EI）、電噴霧電離源（ESI）和大氣壓化學電離源（APCI）。那么我們配備的離子源的離子化原理及