利用溶膠-凝膠法和旋轉鍍膜法在單晶Si（110）基底上制備了Ta2O5光催化劑薄膜.薄膜顆粒的晶粒度和大小隨著熱處理溫度的升高而增加.利用掃描俄歇電子能譜（AES）的表面成分分析、深度剖析和線形分析技術研究了熱處理溫度對Ta2O5/Si樣品膜層和基底的界面化學狀態和相互作用的影響規律.研究表明,在700℃以下熱處理時,Ta2O5/Si薄膜界面處以擴散作用為主;在800℃高溫熱處理時,在界面擴散的同時也引發界面反應,生成了SiO2物種,界面擴散和界面反應會對薄膜和基底元素的化學價態發生影響.在紫外光下降解水楊酸的光催化活性的研究表明,在600℃下焙燒制備的Ta2O5/Si薄膜具有與TiO2/Si薄膜相當的光催化活性.