諾獎授予LED照明技術相關稀有金屬材料受寵

　　10月7日瑞典皇家科學院將2014年諾貝爾物理學獎授予了因發明了“高亮度藍色發光二極管（LED）”的日本科學家赤崎勇和天野浩以及美籍日裔科學家中村修二，以表彰他們在發現新型高效、環境友好型光源方面所作出的貢獻。

　　從半導體中產生高亮度藍色光的方法是“光技術領域一場根本性的變革”。藍色LED光一直是技術難題，在1989年才首次研發成功，而紅色和綠色的LED光30年前就已出現。藍光LED的加入使白光可以以新的方式被創造出來，這樣我們就擁有了更加持久和更加高效的LED燈光代替原來的光源。

　　瑞典皇家科學院在宣布今年獲獎名單時說：“LED燈的出現，使得我們在傳統光源之外，找到了更持久、更節能的光源。這項發明開啟了一場照明革命，白熾燈泡照亮了20世紀，而21世紀將被LED燈照亮。” 與白熾燈、熒光燈相比，LED能耗更低，壽命更長，而且可實現智能化操控，是節能環保的“綠色照明”。因此進入市場后，呈現爆發式增長。國家半導體照明應用系統工程技術研究中心經理楊潔翔介紹，我國2010年的LED產值是700多億元；而到了2013年，全年產值猛增到5000多億元。家庭、辦公、道路等各種場所的照明以及絢爛的景觀燈光，這些市場“主力軍”如今都是LED。

　　稀有金屬鎵、銦等材料對LED照明技術的發展可謂“功不可沒”。目前，LED光源的核心材料主要是稀有金屬鎵（Ga）、銦（In）與砷（AS）、磷（P）的化合物，并且基于寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化稼（InGaN）的也是最具有商業應用價值的LED發光材料。隨著LED光源越來越廣泛應用，大量稀有金屬化合物制成的發光半導體材料也將迎來更大的需求。據統計，2013年我國芯片環節產值達到105億元，增幅31.5%；產量增幅更是高達61%，其中GaN芯片的產量占比達65%，而以InGaAlP芯片為主的四元系芯片的產量占比為25%，GaAs等其他芯片占比為10%左右。

　　據專家預測，2014年我國LED行業將延續2013年上升勢頭，迎來新一輪的增長，預計增長率將達到40%左右。全球LED照明的快速發展，必將會帶動鎵和銦等稀有半導體金屬需求的快速增長，也會帶動越來越多的企業和個人關注銦和鎵等稀有金屬。作為全球銦、鎵等稀有金屬交易量和庫存量最大的現貨交易所，泛亞有色金屬交易所在稀有金屬行業內的優勢地位也會逐漸凸顯。