掃描電鏡的發展

  1873年解像力和照射光的波長成反比的理論以及1897年電子的發現都為掛技術的誕生提供了有力的支持。1924年電子本身具有波動的物理特性的提出，為電子顯微鏡提供了有力的理論支持。1926年電子可像光線一樣可通過玻璃透鏡發生偏折的理論被提出，而在1931年那穿透式電子顯微鏡的原型機誕生。這些都為掃描電鏡理念的提出和成功提供了基礎，在1935年至1942年期間該理念被提出，并通過反復的研制取得了一定的成功。
　　在1942年至1965年期間，掃描電鏡技術逐漸具有實用性，并逐漸向商品化方向發展。在此之后掃描電鏡愈發精細化，相關人員不斷的研究，在很大程度上促進了掃描電鏡分辨率的提升，并且提高了其真空度，提高了抗干擾的能力等。在1968年時場發射掃描電鏡研發成功，進一步使掃描電鏡的分辨率提高，并且電子槍由以往的鎢燈絲裝逼安慰場致發射電子槍，從而實現了電子發射時所消耗的電子能量的降低。
　　我國在上世紀七十年代自主研發掃描電鏡。之后再進行掃描電鏡的研究時，通常融入了其他的技術，有利于增加掃描電鏡的功能。如在掃描電鏡體系中引入了能譜儀，從而使掃描電鏡的實用性進一步提升。使掃描電鏡在對微觀組織的結構進行觀察試樣的同時，還可以測定試樣中的微量元素的成分在掃描電鏡中引入波譜儀，可以使分析成分的能力高。低真空掃描電鏡和其他分支的出現，在很大程度上促進了掃描電鏡的發展與進步。
　　2002年冷場發射S4800型號的掃描電鏡問世，該型號的掃描電鏡具有更高的分辨率，并且對納米材料可清晰準確的觀察，因此在納米材料的研究領域中得到了應用，將其應用到醫藥領域，同樣具有較好的效果。